В данном исследовании изучается влияние интенсивности света на основные фотоэлектрические параметры кремниевых солнечных элементов. Проведен анализ зависимостей тока короткого замыкания, напряжения холостого хода, коэффициента заполнения и эффективности преобразования от уровня падающего излучения. Исследованы физические процессы генерации и рекомбинации носителей заряда, определяющие работу солнечных элементов при различных уровнях освещенности. Установлено, что ток короткого замыкания линейно зависит от интенсивности света, тогда как напряжение холостого хода подчиняется логарифмической зависимости. Показано, что изменения освещенности приводят к нелинейным эффектам, связанным с внутренними потерями и параметрами p–n-перехода. Результаты исследования позволяют выявить факторы, ограничивающие эффективность кремниевых солнечных элементов, и могут быть использованы при оптимизации фотоэлектрических систем.